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Resistive random-access memory

Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont breveté des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en [1], Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en [2], et Micron Technology[3], Spansion[4], Macronix International[5], Winbond Electronics[6], Unity Semiconductor[7] entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory).

En 2013, la presse informatique affiche de bons espoirs que la mémoire RRAM va détrôner la mémoire vive DRAM et la mémoire flash grâce à des performances plusieurs fois supérieures[8]. Selon la société Crossbar, acteur majeur émergeant de la technologie RRAM, cette technologie permet de stocker 1 To de données sur une puce de la taille d’un timbre postal. Elle est également 20 fois plus rapide que la meilleure mémoire flash en , et consomme 20 fois moins d’énergie[9]. Selon Crossbar, la production à grande échelle de leurs puces RRAM est prévue pour 2015, lors d’un entretien en [10].

  1. ↑ Electrically programmable resistance cross point memory – consulté le 22 janvier 2014
  2. ↑ Methods of programming non-volatile memory devices including transition metal oxide layer as data storage material layer and devices so operated – consulté le 22 janvier 2014
  3. ↑ Single-polarity programmable resistance-variable memory element – consulté le 22 janvier 2014
  4. ↑ Molecular memory device – consulté le 22 janvier 2014
  5. ↑ High density chalcogenide memory cells – consulté le 22 janvier 2014
  6. ↑ Resistance random access memory – consulté le 22 janvier 2014
  7. ↑ Re-writable memory with non-linear memory element – consulté le 22 janvier 2014
  8. ↑ Une RRAM prête à détrôner la DRAM et le stockage flash ? – publié le 6 août 2013 – consulté le 22 janvier 2014
  9. ↑ Crossbar's RRAM could disrupt flash memory market – publié le 6 août 2013 – consulté le 22 janvier 2014
  10. ↑ Next-gen storage wars: In the battle of RRAM vs 3D NAND flash, all of us are winners – publié le 9 août 2013 – consulté le 23 janvier 2014
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