Back Cel·la de metal·lització programable Catalan Programmable metallization cell English CBRAM Swedish 可編程金屬化單元 Chinese
La cellule de métallisation programmable (programmable metallization cell en anglais, ou PMC) est une forme de mémoire non volatile en cours d'élaboration à l’université d’état d’Arizona (Arizona State University) et son entreprise dérivée, Axon Technologies. La PMC est une des technologies qui sont mises au point pour remplacer la très populaire mémoire flash, la surpassant à la fois en durée de vie, économie de puissance électrique, et densité de stockage. Infineon Technologies, qui a breveté la technologie en 2004, l’appelle sous le nom de conductive-bridging RAM, ou CBRAM. NEC a une variante appelée « Nanobridge » et Sony appelle leur version « mémoire électrolytique » (« electrolytic memory »).
La technologie PMC est inventée par le docteur Michael Kozicki, qui est professeur d’ingénierie électrique à l’Arizona State University. En 1996, il a fondé la société Axon Technologies pour la commercialiser[1].